JGD 1N5261B
" (1123)1N5261B: Zener 47V 0.5W 5%
Product Overview 1N5261B: Zener 47V 0.5W 5%
1N5261B材料成分声明
本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件。文件详细列出了产品中包含的各种材料,包括但不限于标记墨水、镀层等,并声明产品符合欧盟RoHS指令的要求。文件还包含了产品的技术参数,如工作电压、功率、封装类型等。此外,文件还提供了供应商的认证信息,包括认证日期、联系方式等。
Material Composition Declaration 1N5261BRL
1N5261BRL材料成分声明
本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件,包括产品编号、材料成分、RoHS合规性声明等。文件详细列出了产品中使用的各种材料及其含量,并确认产品符合RoHS指令的要求。此外,文件还包含了供应商的认证信息以及产品在制造过程中的温度和循环次数等关键参数。
KBPC CKGEC1500568002测试报告
本报告为SGS对JGD半导体公司提交的桥式整流器样品进行的RoHS指令2011/65/EU合规性测试报告。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示,样品中镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯(PBBs)和多溴联苯醚(PBDEs)的含量均符合RoHS指令规定的限值。
R-1 TSNEC1501589501试验报告
本报告为JGD SEMICONDUCTOR CO., LTD.提交的KBP封装整流器(HF)样品的测试报告。报告编号为TSNEC1501589501,测试日期为2015年11月24日至12月1日。报告内容包括样品描述、测试项目、测试方法、测试结果和备注。测试项目涉及镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚、邻苯二甲酸酯等有害物质的含量检测,以及卤素、铍、全氟辛烷磺酸和全氟辛酸等物质的检测。测试结果显示,样品中部分有害物质含量低于限值,部分未检测到。
1N5221B – 1N5261B 500mW ZENER DIODE
500mW ZENER DIODES 1N5221BD2A TO 1N5261BD2A
500mW ZENER DIODES 1N5221B TO 1N5261B LCC3
1N5221B THRU 1N5261B TECHNICAL SPECIFICATIONS OF GLASS SILICON ZENER DIODES
1N5220B THRU 1N5267B Silicon Planar Zener Diodes
ST810C Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
BAV19WS, BAV20WS, BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diodes
SFAF501G THRU SFAF508G Glass Passivated Super Fast Rectifiers
1N4148WS Silicon Epitaxial Planar Switching Diode
1N4001(L) THRU 1N4007(L) 1.0 Amp. Silicon Rectifiers
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